闪存芯片革新时代：SK海力士、美光官宣突破200层限制

发布时间：2025-07-07 00:51:27 来源：自始自终网 作者：时尚

财联社8月3日讯（编辑 马兰）7月26日，闪存时代士美美国美光科技表示将开始出货其最先进的芯片宣突限制NAND闪存芯片，也是革新光官首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的海力SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。

美光的破层闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的闪存时代士美芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。芯片宣突限制该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的革新光官领域，满足其低延迟和高吞吐量的海力需求。

韩国SK海力士公司今日也宣布，破层开发出超200层的闪存时代士美NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，芯片宣突限制比美光的革新光官最新芯片还要多装6层。

据SK海力士称，海力238层芯片是破层其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。

SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。

层数越高越好

NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。

而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。

与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。

不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。

美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。

而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。

200层的野心

目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。

早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。

今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。

参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。

中国闪存后起之秀——长江存储，据媒体称也会在今年从128层突破到232层，在年底实现量产。但长江存储并未对此回应。

现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。

而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。

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